表面钝化效应对GaAs纳米线电子结构性质影响的第一性原理研究

摘要：

纳米线表面存在大量的表面态,它们能够引起电子分布在纳米线表面,使得纳米线的电学性质对表面条件变得更加敏感,严重地制约器件的性能.表面钝化能够有效地移除纳米线的表面态,进而能够有效地优化器件的性能.采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了表面钝化效应对GaAs纳米线电子结构性质的影响.考虑了不同的钝化材料,包括氢元素、氟元素、氯元素和溴元素.研究结果表明:具有小尺寸的GaAs裸纳米线的能带结构呈间接带隙特征,表面经过完全钝化后,转变为直接带隙特征;GaAs纳米线表面经过氢元素不同位置和不同比例钝化后,展示出不同的电学性质;表面钝化的物理机理是钝化原子与纳米线表面原子通过电荷补偿移除纳米线表面的电子态;与氢元素钝化相比,GaAs纳米线表面经过氟元素、氯元素和溴元素钝化后,带隙宽度较小,原因是氟元素、氯元素和溴元素在钝化过程中具有较小的电荷补偿能力,不能完全移除表面态.

关键词：GaAs纳米线、表面钝化、能带结构

所属期刊栏目：66

分类号：TS2;O4

资助基金：国家自然科学基金11704112, 11547197, 61640405, 61704036;湖南省自然科学基金2017JJ3051, 2017JJ2062;湖南省教育厅科研项目17B066, 17B065, 16A052;衡阳市科技计划项目2016KJ14;湖南工学院大学生创新训练计划项目HX1608;湖南省大学生研究性学习和创新性实验计划项目资助的课题.Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant . 11704112, 11547197, 61640405, 61704036;the Hunan Provincial Nature Science Foundation of ChinaGrant . 2017JJ3051, 2017JJ2062;the Program of Hunan Provincial Education Department of ChinaGrant . 17B066, 17B065, 16A052;by the Science and Technology Planning Project of Hengyang, ChinaGrant 2016KJ14;the Student Innovation Training Program of Hunan Institute of Technology, ChinaGrant HX1608;the Program of Student Research and Innovation Experiment of Hunan, China

在线出版日期：2017-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：287-294