基于氧化镍背接触缓冲层碲化镉薄膜太阳电池的研究

摘要：

采用电子束蒸发法制备了NiO薄膜,并对其作为碲化镉薄膜太阳电池背接触缓冲层材料进行了相关研究.NiO缓冲层的加入使得碲化镉太阳电池开路电压显著增大.通过X射线光电子能谱测试得到的NiO/CdTe界面能带图表明NiO和CdTe的能带匹配度很好.NiO是宽禁带P型半导体材料,在电池背接触处形成背场,减少了电子在背表面处的复合,从而提高电池开路电压.通过优化NiO薄膜厚度,制备得到转换效率为12.2％、开路电压为789 mV的碲化镉太阳电池.研究证实NiO是用来制备高转换效率、高稳定性碲化镉薄膜太阳电池的一种极有前景的缓冲层材料.

关键词：碲化镉、薄膜太阳电池、氧化镍、缓冲层

所属期刊栏目：66

分类号：TM9;TB3

资助基金：the National Natural Science Foundation of China Grant Nos.61474103,51272247.国家自然科学基金61474103,51272247资助的课题

在线出版日期：2017-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：282-289