刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-GaN表面粗化的影响?

摘要：

研究了等离子体刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-GaN表面粗化行为的影响。实验结果表明，表面AlN缓冲层的状态对N极性n-GaN的粗化行为影响很大，采用等离子体刻蚀去除一部分表面AlN缓冲层即可以有效提高N极性n-GaN在KOH溶液中的粗化效果， AlN缓冲层未经任何刻蚀处理的样品粗化速度过慢，被刻蚀完全去除AlN缓冲层的样品容易出现粗化过头的现象。经X射线光电子能谱分析可知，等离子体刻蚀能够提高样品表面AlN缓冲层Al 2p的电子结合能，使得样品表面费米能级向导带底靠近，原子含量测试表明样品表面产生了大量的N空位， N空位提供电子，使得材料表面费米能级升高，这降低了KOH溶液和样品表面之间的肖特基势垒，从而有利于表面粗化的进行。通过等离子体刻蚀掉表面部分AlN缓冲层，改善了N极性n-GaN在KOH溶液中的粗化效果，明显提升了对应发光二级管器件的出光功率。

关键词：氮化镓、氮化铝、表面粗化、发光二极管

所属期刊栏目：65

分类号：O4 ;TG1

资助基金：国家自然科学基金61334001,11364034,21405076;国家科技支撑计划2011BAE32B01;国家高技术研究发展计划2011AA03A101;江西省科技支撑计划批准号:20151BBE50111资助的课题.* Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .61334001,11364034,21405076;the National Key Technology Research and Development Program of the Ministry of Science and Technology of ChinaGrant 2011BAE32B01;the National High Technology Research and Development Program of ChinaGrant 2011AA03A101;the Key Technology Research and Development Program of Jiangxi Province, ChinaGrant 20151BBE50111

在线出版日期：2016-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：088501-1-088501-7