期刊专题

10.7498/aps.64.235201

金纳米颗粒光散射提高InAs单量子点荧光提取效率?

引用
采用光学方法确定InAs/GaAs单量子点在样品外延面上的位置坐标,利用AlAs牺牲层把含有量子点的GaAs层剥离并放置在含有金纳米颗粒或平整金膜上,研究量子点周围环境不同对量子点自发辐射寿命及发光提取效率的影响。实验结果显示,剥离前后量子点发光寿命的变化小于13%,含有金纳米颗粒的量子点发光强度是剥离前的7倍,含有金属薄膜的量子点发光强度是剥离前的2倍。分析表明在金纳米颗粒膜上的量子点荧光强度的增加主要来自于金纳米颗粒对量子点荧光的散射效应,从而提高量子点发光的提取效率。

金纳米颗粒、InAs单量子点、光散射、提取效率

O57;O4

国家自然科学基金11204297资助的课题

2016-01-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共1页

235201-1-235201-6

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

物理学报

1000-3290

11-1958/O4

2015,(23)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn