基于FTO/VO2/FTO结构的VO2薄膜电压诱导相变光调制特性?

摘要：

采用直流磁控溅射和后退火工艺在掺氟的SnO2(FTO)导电玻璃衬底上制备VO2薄膜,研究了不同退火时间和不同比例的氮氧气氛对VO2薄膜性能的影响,对VO2薄膜的结晶取向、表面形貌、表面元素的相对含量和透过率随波长变化进行了测试分析,结果表明在最佳工艺条件下制备得到了组分相对单一的VO2薄膜.基于FTO/VO2/FTO结构在VO2薄膜两侧的透明导电膜上施加电压并达到阈值电压时,观察到了明显的电流突变.当接触面积为3 mm ×3 mm时,阈值电压为1.7 V,阈值电压随接触面积的增大而增大.与不加电压的情况相比, FTO/VO2/FTO结构在电压作用下高低温的红外透过率差值可达28%,经反复施加电压,该结构仍保持性能稳定,具有较强的电致调控能力。

关键词：VO2/FTO、直流磁控溅射、阈值电压、电致相变

分类号：R31;TG1

资助基金：国家高技术研究发展计划“863”计划2006AA03Z348;教育部科学技术研究重点项目207033;上海市科学技术委员会科技攻关计划06DZ11415;上海市教育委员会科技创新重点项目10ZZ94;上海领军人才培养计划资助项目批准号:2011-026资助的课题.@@@@* Project supported by the National High Technology Research and Development Program of ChinaGrant 2006AA03Z348;the Foundation for Key Program of Ministry of Education ChinaGrant 207033;the Science and Technology Research Project of Shanghai Science and Technology Commission, China Grant No.06DZ11415 the Key Science and Technology Research Project of Shanghai Committee, ChinaGrant 10ZZ94;the Shanghai Talent Leading Plan, ChinaGrant 2011-026

在线出版日期：2015-11-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：198101-1-198101-9