质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析?

摘要：

对科学级电荷耦合器件(charge-coupled device, CCD)进行了质子和中子辐照试验及退火试验,应用蒙特卡洛方法计算了质子和中子在CCD中的能量沉积,分析了器件的辐射损伤机理。仿真计算了N+埋层内沉积的位移损伤剂量,辐照与退火试验过程中主要考察暗信号的变化规律。研究结果显示,质子与中子辐照均会引发暗信号退化,其退化的规律与位移损伤剂量变化一致；退火后,质子辐照所致CCD暗信号大幅度恢复,其体暗信号增加量占总暗信号增加量的比例最多为22%；中子辐照引发的暗信号增长主要为体暗信号。质子和中子在N+埋层产生相同位移损伤剂量的情况下,两者导致的体暗信号增长量相同,质子与中子辐照产生的体缺陷对体暗信号增长的贡献是同质的。

关键词：电荷耦合器件、质子辐照、中子辐照、输运仿真

分类号：TP3;TN9

资助基金：国家自然科学基金批准号:11005152资助的课题.@@@@* Project supported by the National Natural Science Foundation of China Grant 11005152

在线出版日期：2015-11-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：194208-1-194208-8