基于无源超高频射频识别标签的湿度传感器设计

摘要：

针对无源超高频射频识别传感器标签大规模运用的需求,采用中芯国际0.35μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计并制造了一种低成本、低功耗的湿度传感器.湿度传感器单元采用聚酰亚胺作为感湿材料,利用顶层金属层制作叉指结构电极,制造过程与标准CMOS制造工序兼容,无需任何后处理工艺.接口电路部分基于锁相环原理,采用全数字电容-数字直接转换结构,能够工作在接近工艺阈值电压下.后期测试结果显示,该湿度传感器在常温下灵敏度为36.5 fF%RH,最大回滞偏差为7%,响应时间为20 ms,0.6 V电源电压下消耗2.1μW功率.

关键词：湿度传感器、电容式传感器接口电路、锁相环、射频识别

分类号：84.40.-x,07.07.Df

资助基金：国家杰出青年科学基金50925727;国防科技预研项目C1120110004;教育部科学技术研究重大项目基金313018;安徽省科技计划重点项目批准号:1301022036资助的课题.* Project supported by the National Science Fund for Distinguished Young Scholars of ChinaGrant 50925727;the Chinese Defence Advance Research Program of Science and Technology, ChinaGrant C1120110004;the Foundation for Key Program of Ministry of Education, ChinaGrant 313018;the Key Science and Technology Project of Anhui Province of ChinaGrant 1301022036

在线出版日期：2014-09-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：188402-1-188402-7