Ni/Ag/Ti/Au与p-GaN的欧姆接触性能及光反射率

摘要：

研究了不同Ni厚度的Ni/Ag/Ti/Au电极在不同退火温度和退火气氛下与p-GaN之间的欧姆接触性能以及电极的光反射率的变化.采用矩形传输线模型对各电极的比接触电阻率进行测算,利用分光光度计对电极在不同波长下的反射率进行测量.结果表明, Ni金属层的厚度越小,电极的光反射率越高,而Ni层厚度对比接触电阻率的影响较小；当退火温度高于400?C后,电极的光反射率降低,在氧气氛围中退火后光反射率比在氮气中退火后下降更加明显.但在氧气氛围中退火有利于减小比接触电阻率.综合考虑接触电阻和光反射率,电极Ni(1 nm)/Ag/Ti/Au在400?C氧气中快速退火后得到了较好的结果,其比接触电阻率为5.5×10-3?·cm2,在450 nm处反射率为85%.利用此电极制作了垂直结构发光二极管(LED)器件, LED在350 mA注入电流下,工作电压为3.2 V,发光功率为270 mW,电光转换效率达到24%.

关键词：p-GaN、欧姆接触、反射率、快速退火

分类号：TN3;TS7

资助基金：国家高技术研究发展计划批准号:2012AA041004,2011AA03A111资助的课题.* Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China Grant .2012AA041004,2011AA03A111

在线出版日期：2014-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：127302-1-127302-8