近紫外波段NEA GaN阴极响应特性的研究*

摘要：

为了深入理解近紫外波段NEA GaN阴极的光谱响应特性,在超高真空系统中对MOCVD生长的不同发射层厚度和掺杂浓度的三个样品进行激活实验,并在线测试样品光谱响应.利用反射式GaN阴极量子效率公式和最小二乘法对入射光波长为0.25-0.35μm之间的阴极响应量子效率实验数据进行拟合,分别得到后界面复合速率和拟合直线L的斜率,并使用量子效率公式对入射光波长为0.35μm时的反射式GaN阴极光谱响应量子效率进行仿真.结果表明,后界面复合速率和直线L的斜率都能很好地反映GaN阴极的响应性能,当GaN阴极后界面复合速率小于105 cm/s,发射层的厚度取0.174-0.212μm时,阴极光谱响应性能最好.

关键词：反射式GaN、势垒、最小二乘法、后界面缺陷

在线出版日期：2013-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：446-450