重离子导致的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集三维数值模拟

摘要：

针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBTs),采用半导体器件模拟工具,建立SiGe HBT单粒子效应三维损伤模型,研究影响SiGe HBT单粒子效应电荷收集的关键因素.分析比较重离子在不同位置入射器件时,各电极的电流变化和感生电荷收集情况,确定SiGe HBT电荷收集的敏感区域.结果表明,集电极/衬底结内及附近区域为集电极和衬底收集电荷的敏感区域,浅槽隔离内的区域为基极收集电荷的敏感区域,发射极收集的电荷可以忽略.此项工作的开展为下一步采用设计加固的方法提高器件的抗辐射性能打下了良好的基础.

关键词：锗硅异质结双极晶体管、单粒子效应、电荷收集、三维数值仿真

在线出版日期：2013-03-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：487-494