栅长对PDSOINMOS器件总剂量辐照效应影响的实验研究

摘要：

本文对PDS01NMOS器件进行了60Coγ射线总剂量辐照的实验测试，分析了不同的栅长对器件辐射效应的影响及其物理机理．研究结果表明，短沟道器件辐照后感生的界面态密度更大，使器件跨导出现退化．PDSOI器件的局部浮体效应是造成不同栅长器件辐照后输出特性变化不一致的主要原因．短沟道器件输出特性的击穿电压更低．在关态偏置条件下，由于背栅晶体管更严重的辐射效应，短沟道SOI器件的电离辐射效应比同样偏置条件下长沟道器件严重．

关键词：PD、SOI、NMOS、总剂量辐照效应、栅长、偏置状态

所属期刊栏目：61

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61076097,60936005;教育部科技创新工程重大项目培育资金708083;中央高校基本科研业务费专项资金20110203110012资助的课题

在线出版日期：2013-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：125-130