脉冲磁场对水热法制备Mn掺杂ZnO稀磁半导体的影响

摘要：

本文以Zn（CH3COO）2·2H2O，Mn（CH3COO）2·4H2O和氨水缓冲溶液为原料，在4T脉冲磁场下利用水热法制备了Mn掺杂ZnO稀磁半导体晶体，通过X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱、荧光分光光度计及振动样品磁强计等对样品的微观结构及磁性能等进行了表征，结果表明：Mn掺杂ZnO稀磁半导体晶体仍保持ZnO六方纤锌矿结构，4T脉冲磁场下合成的Mn掺杂ZnO稀磁半导体晶体具有明显的室温铁磁性，其饱和磁化强度（M5）为0．028emu／g，比无脉冲磁场下制备的样品提高一倍以上，且4T脉冲磁场将样品的居里温度提高了15K．

关键词：稀磁半导体、Mn掺杂ZnO、脉冲磁场、水热法

所属期刊栏目：61

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：上海市科委项目11nm0501600,09dz1203602;上海市重点学科建设项目S30107资助的课题.感谢上海大学微结构重点实验室分析测试中心在材料测试方面的支持和帮助

在线出版日期：2012-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：496-502