GaN MMIC中SiN介质MIM电容的可靠性

摘要：

本文通过恒定应力加速实验对GaN微波单片集成电路中SiN介质MIM电容的可靠性进行了评估，研究了高场下MIM电容的两种失效模式、临界介质击穿电荷密度以及平均失效前时间．通过不同温度下介质电容的导电特性求解了介质内的缺陷能级．重点分析了SiN介质MIM电容的退化机理，研究认为高应力下介质内产生新的施主型缺陷，并占据主导地位，其缺陷能级逐渐向深能级转移；缺陷的持续增加加剧了介质内载流子的散射，导致应力后期泄漏电流降低．SiN介质MIM电容退化机理的研究为加固介质电容提供了依据．

关键词：SiN、MIM电容、缺陷、平均失效前时间

所属期刊栏目：61

分类号：TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究计划973项目2010CB327500资助的课题

在线出版日期：2012-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：476-481