基于镍-63硅基辐伏能量转换结构初探

摘要：

针对辐射伏特效应同位素微电池研究中所面临的主要问题——辐伏转换效率提高与辐射损伤 这一相互制约的矛盾体,利用单晶硅低能电子辐照感生缺陷行为研究,结合两种PIN结构的 电学性能测试,提出I区掺杂浓度为2×10^12 cm-3的P^＋I （N^-） N^＋器件符合 P, N型硅辐射损伤效应预测结果.并以此为原型器件进行63Ni辐照在线输出特性测试, 通过与Wisconsin大学实验数据比较,对影响能量转换效率低下的主要因素进行了分析, 考虑主要从器件采用三维PIN结结构;增大耗尽层能量沉积比重; I （N-）区宽度与沉积深度匹配; 控制漏电流在皮安量级等方面提高能量转换效率,据此对硅基能量转换结构进行设计, 最终确定PIN多孔结构、辐射源厚度、掺杂浓度、耗尽层宽度等结构参数,完成换能结构优化.

关键词：63^Ni源、能量转换结构、辐照效应、辐射伏特

所属期刊栏目：61

分类号：TN304.12(半导体技术)

资助基金：中国工程物理研究院重点基金2007A02001资助的课题

在线出版日期：2012-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：362-370