基于非平衡Green函数理论的峰值掺杂-低掺杂漏结构碳纳米管场效应晶体管输运研究

摘要：

为改善碳纳米管场效应晶体管的性能，将一种峰值掺杂一低掺杂漏（HALO-LDD）掺杂结构引入碳纳米管沟道．在量子力学非平衡Green函数理论框架内，通过自洽求解Poisson方程和Schr6dinger方程，构建了适用于非均匀掺杂的碳纳米管场效应管的输运模型，该模型可实现场效应晶体管的输运性质与碳纳米管手性指数的对接．利用该模型研究了单HALO双LDD掺杂结构对碳纳米管场效应晶体管输运特性的影响．对比分析表明，这种非均匀掺杂结构的场效应管同本征碳纳米管沟道场效应晶体管相比，具有更低的泄漏电流、更大的电流开关比、更小的亚阈区栅电压摆幅，表明其具有更好的栅控能力；具有更小的漏源电导，更适合应用于模拟集成电路中；具有更小的阈值电压漂移，表明更能抑制短沟道效应．同本征沟道碳纳米管场效应晶体管相比，这种非均匀掺杂碳纳米管场效应晶体管在沟道区靠近源端位置，电场强度增大，有利于增大电子的传输速率；在沟道区靠近漏端位置，电场强度减小，更有利于抑制热电子效应．

关键词：非平衡Green函数、碳纳米管场效应晶体管、短沟道效应、热电子

所属期刊栏目：61

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金10974075,21171081;辽宁省教育厅科学研究基金L2010152;辽宁省科技厅自然科学基金20082050资助的课题

在线出版日期：2012-07-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：384-390