铬过渡层位置及金属沉积角度对纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵结构的影响

摘要：

利用纳米球刻蚀法制备了二维六角密排三角形银纳米阵列,通过加入铬过渡层并改变其位置和改变金属沉积角度,研究它们对点阵结构的影响.实验发现,加入铬过渡层所形成的银纳米点阵结构较无铬层有很大改善,三角形角部更加尖锐,更能满足传感器对信号检测的要求.同时,该过渡层应蒸镀在模板球排列之后,才能获取更大面积的二维银纳米点阵结构.在沉积角度对制备二维银纳米点阵的影响的实验中,基片没有旋转,采用垂直镀膜方式更容易得到结构完整、结合较牢固、且面积较大、角部尖锐的二维银纳米点阵.吸收光谱测量进一步验证了铬过渡层对二维银纳米点阵形貌结构的改善作用.这些为下一步的生物修饰以及生物化学传感器的制备提供了先决条件.

关键词：纳米球刻蚀、铬过渡层、沉积角度、吸收光谱

所属期刊栏目：61

分类号：TQ163.4

资助基金：国家科技计划国际科技合作与交流专项2008DFA51230;国家重点基础研究发展计划973计划2007CB936603;国家自然科学基金60776007 11074207;教育部高等学校博士学科点专项科研基金20100121110023

在线出版日期：2012-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：322-329