利用等离子体辅助脉冲磁控溅射实现多晶硅薄膜的低温沉积
本文报道了利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射在温度300℃以下沉积氢化多晶硅薄膜的制备方法.利用拉曼散射、X射线衍射、透射电子衍射和傅里叶红外光谱对多晶硅薄膜进行了表征.详细研究了氢气在沉积过程中所起的作用,并结合Langmuir探针和发射光谱等等离子体诊断方法,对辅助等离子体源在多晶硅薄膜制备过程中所起到的作用进行了讨论.
多晶硅薄膜、电感耦合等离子体、磁控溅射、拉曼散射
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O484.1(固体物理学)
教育部科技创新工程重大项目培育资金项目707015;辽宁省高等学校创新团队支持计划资助的课题
2012-04-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
499-508