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氧空位对Co掺杂TiO_2稀磁半导体中杂质分布和磁交换的影响

引用
本文使用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Co掺杂TiO_2稀磁半导体中氧空位对体系能量和磁性的影响.通过对总能量的计算发现当引入氧空位后近邻杂质体系能量高于均匀掺杂体系,同时氧空位易在Co近邻位置富集.进而发现氧空位的存在及其占位可以影响Co离子间的磁交换,近邻Co离子体系下氧空位的引入使Co离子间的铁磁耦合减弱;非近邻Co离子体系下,底面氧空位使Co离子间呈反铁磁耦合而顶点氧空位使Co离子间呈铁磁耦合.总之,氧空位的存在对Co掺杂TiO_2材料的能量及磁性都有较大影响.

稀磁半导体、氧空位、双交换

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O614.121(无机化学)

国家重点基础研究发展计划973项目2010CB934202;国家自然科学基金资助的为课题

2012-04-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

446-453

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物理学报

1000-3290

11-1958/O4

61

2012,61(2)

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