非晶熔石英表面等离子体刻蚀过程中的表面晶化研究

摘要：

本工作采用电子回旋共振（ECR）低压等离子体刻蚀技术,刻蚀非晶熔石英表面.Ar/CF_4为反应气体刻蚀后再经O等离子体钝化,非晶熔石英表面出现晶化现象.晶化层约几百纳米厚.Ar/CF_4在ECR的电磁场作用下产生F离子与C离子,F离子使熔石英表面的Si-O共价键断裂,并释放出O离子.C离了与O离子迅速键合生成CO_2,而被断键的Si原子与四个F原子键合生成气态SiF4.熔石英原始表面被去除的同时,在新的表面留下大量不饱和Si原子.不饱和Si原子在高温条件下被O等离子钝化,形成结晶态α方石英.

关键词：非晶态熔石英、结晶态α方石英、低压等离子刻蚀

所属期刊栏目：61

分类号：TQ226.61(基本有机化学工业)

资助基金：国家自然科学基金20903083;中国工程物理研究院发展基金2010B0401056

在线出版日期：2012-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：296-300