SOI SONOS EEPROM总剂量辐照阈值退化机理研究

摘要：

阈值退化是器件特性退化最重要的表征.本文以研究SOISONOSEEPROM器件的前栅和背栅阈值电压在辐照环境下的漂移为入手点,深入研究了在辐照情况下器件的退化;并从物理能带和载流子漂移的角度,分析了导致阈值电压漂移的物理机理,提出了提高器件性能的措施.

关键词：SONOS、EEPROM、SOI、辐照、能带

所属期刊栏目：60

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：极大规模集成电路制造装备及成套工艺国家科技重大专项2009ZX02306-04

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：759-766