Si（100）表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用

摘要：

本文采用分子束外延（MBE）系统在Si（100）表面淀积Se薄膜.通过控制衬底和固态Se束源炉的温度,实现了Se材料在Si（100）表面上的自限制超薄薄膜生长;在Se超薄层钝化的Si（100）表面上制备的Ti金属电极具有低的欧姆接触电阻特性,且热稳定性温度提升至400℃.

关键词：硒、钝化、欧姆接触、热稳定性

所属期刊栏目：60

分类号：O613.72(无机化学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2007CB613404;国家自然科学基金61036003和60837001;福建省自然科学基金2008J0221;福建省教育厅科技项目JB08215

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：712-716