氮化镓基发光二极管结构中粗化p型氮化镓层的新型生长方法

摘要：

提出了一种新型p型氮化镓粗化外延生长方法,这种生长方法的本质特征是利用低温生长的p型氮化镓作为粗化层的＂晶籽＂层,然后在这一层的基础上高温快速生长p型氮化镓,使粗化程度得到放大.经实际制作尺寸为12mil×10mil的蓝光发光二极管器件并进行验证测试,与未进行p型氮化镓粗化的结果相比,通过这种方法粗化的发光二极管光通量可提升45%;结果同时表明,该方法有效解决了低温生长p型氮化镓带来的漏电流大,及预通镁源带来的前置电压高的问题.

关键词：粗化、氮化镓、p型氮化镓、发光二极管

所属期刊栏目：60

分类号：O78(晶体生长)

资助基金：国家重点基础研究发展计划9732011CB301902 2011CB301903;国家自然科学基金60723002 50706022 60977022 51002085;国家高技术研究发展计划8632007AA05Z429 2008AA03A194;北京市自然科学基金4091001

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：707-711