电子束辐照诱导Bi：α-BaB_2O_4单晶近红外宽带发光的研究

摘要：

用提拉法技术生长出了Bi：α-BaB2O4单晶,并进行电子束辐照.测定了电子束辐照前后的吸收谱和荧光发射谱.在808nm波长激光二极管的激发下,电子束辐照后的Bi：α-BaB2O4单晶中观测到了中心波长在1135nm附近、半高宽为52nm左右的近红外宽带发光现象.近红外宽带发光的发光中心是Bi＋离子.电子束射线起到了将Bi3＋和Bi2＋还原至一价态的作用.本文通过对比发现,在不同的辐照剂量处理后的过程中发光中心Bi＋离子的产生机理是不相同的,并对其物理化学过程进行了初步的探讨.

关键词：近红外宽带发光、α-BaB2O4单晶、电子束辐照

所属期刊栏目：60

分类号：TN104.3(真空电子技术)

资助基金：国家自然科学基金60778036 60938001 61078053和60908030;中国科学院百人计划;上海市科学技术委员会08520704400

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：658-662