羟基饱和锯齿型石墨烯纳米带的电子结构
利用密度泛函理论,计算了羟基饱和锯齿型石墨烯纳米带(OH-ZGNRs)的相对稳定性和外加横向电场对其电子结构的影响.计算结果表明:OH-ZGNRs比氢饱和ZGNRs(H-ZGNRs)更为稳定,具有窄带隙自旋极化基态.此外,在外加横向电场作用下,OH-ZGNRs可实现半导体到半金属相转变.
石墨烯纳米带、密度泛函理论、电场
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O613.71(无机化学)
国家自然科学基金51002061 51002014;吉林省自然科学基金20101514
2012-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
591-595