N掺杂对zigzag型石墨烯纳米带的能带结构和输运性质的影响
用第一性原理研究了N掺杂zigzag型石墨烯纳米带(z-GNRs)的能带结构、透射谱和电流电压特性,研究结果表明N掺杂将使得z-GNRs的能带结构中出现能隙,材料从金属转变为半导体;随着杂质浓度的增大,相同偏压下电流明显减小,同时体系费米面附近的透射率逐渐减小;z-GNRs的长度、宽度以及N原子的替代掺杂位置均会对输运性质产生影响,在宽度较小的情况下,掺杂浓度和掺杂位置两种因素共同影响体系的输运性质.
石墨烯纳米带、N掺杂、能带结构、输运性质
60
O471.5(半导体物理学)
国家自然科学基金11047164;上海工程技术大学博士启动项目校启2010-10;上海工程技术大学大学生创新活动项目cx1021010
2012-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
554-559