超晶格SnO_2掺Cr的电子结构和光学性质的研究

摘要：

基于密度泛函理论的第一性原理,采用全势线性缀加平面波方法（FPLAPW）和广义梯度近似（GGA）来处理相关能,计算了Cr掺杂SnO2超晶格的电子态密度、能带结构、介电函数、吸收系数、反射率和折射率.研究表明由于Cr的掺入,超晶格SnO2在费米能级附近形成了新的电子占据态,出现了不连续的杂质能带,这是由Cr-3d态和O-2p,Sn-5s态电子所形成.介电谱在0—5.5eV之间时出现了三个新的介电峰,在高能区介电谱主峰位置发生蓝移,峰值强度减小.吸收谱、反射谱和折射谱也出现了与介电谱相应的峰,各谱峰的出现是由Cr的d—d跃迁所引起的.

关键词：超晶格、第一性原理、态密度、电子结构

所属期刊栏目：60

分类号：O613.71(无机化学)

资助基金：国家自然科学基金60471042;山东省自然科学基金ZR2010EL017;济南大学博士基金xbs1043

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：227-232