抗辐射双极n-p-n晶体管的研究

摘要：

根据发射极周长与面积比（P/A）最小的原则,优化设计了双极n-p-n晶体管的尺寸参数,采用20V双极型工艺设计制造了三种抗辐射加固的n-p-n晶体管.测试表明,在总剂量为1kGy的辐照条件下,所制备的发射结加固型n-p-n晶体管和含有重掺杂基区环的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高10%—15%;而两种加固措施都有的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高15%—20%.

关键词：双极n-p-n晶体管、辐射效应、电流增益、抗辐射

所属期刊栏目：60

分类号：TN32(半导体技术)

资助基金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室创新基金CXJJ200905

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：773-777