单岛单电子晶体管的电导分析

摘要：

基于单电子经典理论，本文通过分析得出了单岛单电子晶体管的源漏电导模型，并对其进行了详细的分析讨论．单岛单电子晶体管的源漏电导随着源漏电压的变化发生周期性的振荡衰减，并随着源漏电压的增大逐渐收敛于本征电导值．源漏电导的这种特性受温度、结电阻、结电容等参数的影响．分析结果表明，源漏电导分析模型对单电子晶体管的大规模应用具有非常重要的意义．

关键词：单电子晶体管、电导、库仑振荡、库仑阻塞

所属期刊栏目：60

分类号：TN32(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究与发展863计划2009AA012114;国防科技大学优秀研究生创新基金;湖南省研究生创新基金资助的课题

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：655-662