GaAs自旋注入及巨霍尔效应的研究

摘要：

在自旋电子学研究中，一般以超晶格结构、自旋阀、隧道结来实现，另一种自旋注入典型方法是稀磁半导体材料，如GaMnAs，本文通过颗粒膜实现自旋注入，利用磁控溅射法将Fe颗粒嵌入GaAs阵体上，制备r（GaAs）19Fe81颗粒膜样品，在室温条件下观测到15μΩ·cm最大饱和霍尔电阻率，该效应比纯铁的饱和霍尔电阻率大了一个数量级，成功地实现了自旋注入．

关键词：自旋注入、颗粒膜、巨霍尔效应

所属期刊栏目：60

分类号：O441(电磁学、电动力学)

资助基金：南京大学固体微结构物理实验室开发课题M23005

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：608-611