光电耦合器电离辐射损伤电流传输比1/f噪声表征

摘要：

在研究光电耦合器电离辐射损伤机理基础上,分别建立光电耦合器电离辐射损伤电流传输比(CTR)表征模型和1/f噪声表征模型.结果表明CTR退化和噪声增加都归因于辐射后光敏三极管集电结和发射结处SiO2/Si界面缺陷增多.根据CTR退化和噪声变化分别与辐射剂量的关系,建立起噪声变化与CTR退化之间的关系,辐照实验对表征模型正确性进行了验证.运用噪声变化与辐射剂量的关系,通过低剂量辐照实验可以预测高剂量辐射后光电耦合器退化程度,故可用于评价光电耦合器抗辐射能力.

关键词：1/f噪声、光电耦合器、缺陷、模型

所属期刊栏目：60

分类号：O483(固体物理学)

在线出版日期：2011-07-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：609-615