AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合

摘要：

利用蓝宝石衬底的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件(HEMT)的电容电压(C-V)特性,对电子费米能级与二维电子气面密度的经验关系进行表征,其结果对器件电荷控制模型的建立,跨导及电容表达式的简化有重要意义.文章创新性地提出参数α用于表征二维势阱对沟道电子限制能力,并认为α越小则二维势阱的沟道电子限制能力越强.利用上述经验关系来拟合电容,可以获得与实测电容很好的一致性.

关键词：HEMT、费米能级、C-V特性、二维势阱的电子限制能力

所属期刊栏目：60

分类号：O472.4(半导体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2010CB327500;国家自然科学基金60976059;60890191

在线出版日期：2011-07-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：542-546