基于SOI技术的单层多晶EEPROM和SONOS EEPROM抗总剂量辐照特性研究

摘要：

在自行研发的0.8μm SOI工艺平台上开发了基于SOI技术的单层多晶硅EEPROM(electrically erasable programmable read only memory)和SONOS(silicon-oxide-nitride-oxide-silicon)EEPROM,并进行了抗总剂量辐照实验研究,分析了各种EEPROM结构在抗总剂量辐照下的失效机理.结果表明基于SOI技术的SONOS EEPROM具有良好的抗总剂量辐照性能,为抗辐照EEPROM电路中的存储单元结构选取提供了依据.

关键词：EEPROM、SOI SONOS、辐照、浮栅

所属期刊栏目：60

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家科技重大专项项目2009ZX02306-04

在线出版日期：2011-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：756-761