双栅调控的硅量子线中的库仑振荡效应

摘要：

基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子晶体管,通过背栅和侧栅对量子线的电子输运特性进行调制.实验发现,在硅量子线中分别观察到背栅和侧栅调制的单电子效应和库仑振荡现象.从微分电导的二维灰度轮廓图,清楚地观察到了库仑阻塞区,说明由于栅压导致在硅量子线中形成了库仑岛.

关键词：库仑振荡、单电子效应、硅量子线

所属期刊栏目：60

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划项目2006CB932202;国家自然科学基金60571008;60721063

在线出版日期：2011-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：626-630