图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究

摘要：

报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60 nm高14 nm的近三角形.低温87 K下光致发光谱测试在793.7和799.5 nm处出现峰值,验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示,相比等宽度量子阱有8 meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的.

关键词：V型槽图形衬底、量子线、GaAs

所属期刊栏目：60

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划项目2007CB936304;2006CB302802;国家高技术研究发展计划项目2007AA03Z421;2009AA03Z404;国家自然科学基金60876093

在线出版日期：2011-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：170-174