应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型

摘要：

分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET内部电势分布的二维泊松方程,通过边界条件求解方程,得出了准确的阈值电压模型,并且验证了该模型的正确性.

关键词：应变硅、绝缘层上硅锗、p型金属氧化物场效应晶体管、阈值电压解析模型

所属期刊栏目：59

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60976068;60936005;教育部科技创新工程重大项目培育基金708083;中央高校基本科研基金200807010010

在线出版日期：2011-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：8877-8882