单晶Cu(001)薄膜塑性变形的分子动力学模拟
使用分子动力学方法,模拟研究了单晶Cu(001)薄膜在双向等轴拉伸应变下的塑性变形行为.当应变超过一定值时,样品通过产生位错、层错及孪晶而发生塑性变形.当应变相对较低时,不全位错首先在薄膜表面形核并在密排面上滑移,留下堆积层错;当应变增加时,位错在表面与内部同时成核生长,层错数量也随之增加.分析了相邻滑移面上的位错之间相互作用形成孪晶的微观过程.材料内部形成大量堆积层错及孪晶后,较大孪晶的密排面上的原子也会发生滑移,形成孪晶内部的层错结构以释放残余应力.
分子动力学、Shockley不全位错、孪晶
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O4(物理学)
中国工程物理研究院科学技术发展基金2009A0101007;2008B0101008
2011-03-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
8836-8842