变温退火制备铝诱导大晶粒多晶硅薄膜的机理研究

摘要：

为了缩短铝诱导法制备大晶粒多晶硅薄膜的退火时间,用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了a-Si/SiO2/Al叠层膜,并用两种方法进行变温退火.分析了变温退火工艺对铝诱导晶化过程的影响,着重讨论了退火过程中温度由低温升到高温时不形成小晶粒的机理和条件.研究表明.当退火温度升高时,是否形成小晶粒取决于晶粒半径、耗尽层厚度和相邻晶粒间距三者之间的关系.

关键词：薄膜、多晶硅、铝诱导晶化、变温退火

所属期刊栏目：59

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划2006AA03Z219;南京航空航天大学博士学位论文创新与创优基金BCXJ08-10

在线出版日期：2011-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：8770-8775