SETMOS实现多涡卷蔡氏电路的研究

摘要：

基于细胞神经网络结构,利用具有负微分电阻特性的单电子晶体管与金属氧化物半导体混合结构器件SETMOS实现了多涡卷蔡氏电路.对该电路系统的基本动力学特性(如相图、分岔图、Lyapunov指数、Poincare映射和功率谱)进行了理论分析和数值仿真,并利用电路仿真实验验证了该三阶四涡卷蔡氏电路设计的正确性和可行性.研究结果表明,SETMOS的负微分电阻特性决定着多涡卷蔡氏电路的复杂动力学行为,而且所设计的电路结构简单易行.

关键词：单电子晶体管、负微分电阻、多涡卷、分岔

所属期刊栏目：59

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划2008AAJ225

在线出版日期：2011-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：8426-8431