弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究

摘要：

研究了低温(1.5 K)条件下弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱结构的纵向磁隧穿特性.研究表明,器件在零偏压下处于共振状态.通过分析不同偏压下的磁电导振荡曲线,可以得到双量子阱中的基态束缚能级随偏压的变化规律,从而可以确定隧穿电流峰对应的隧穿机制.所得结果可为弱耦合双量子点器件的制备提供基础.

关键词：双量子阱、隧穿结构、磁电导振荡

所属期刊栏目：59

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2007CB924901;上海市科学技术委员会基础研究重点项目07JC14059;09JC1415700;人事部留学回国人员科研基金资助的课题

在线出版日期：2010-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：4221-4225