量子限制受主远红外电致发光器件的制备与测量

摘要：

采用分子柬外延技术生长GaAs/AlAs三量子阱,并在中间的GaAs阱中δ-掺杂浅受主杂质Be原子,制作出量子限制受主远红外Teraherz原型电致发光器件.实验上测量得到4.5 K时器件的电致发光谱(EL)和电传输特性(I-V曲线).在EL发射谱中清楚地观察到222 cm~(-1)处宽的尖峰,这来源于Be受主奇宇称激发态到其基态的辐射跃迁,而非辐射弛豫过程则使发射谱的信号很弱.另外在I-V曲线中0.72和1.86 V的位置出现两个共振隧道贯穿现象,分别对应于中间δ-掺杂量子阱受主能级1s3/2(Г_6+Г_7)到左边非掺GaAs量子阱中HH带,及右边非掺杂GaAs量子阱中HH重空穴带到中间掺杂GaAs量子阱中Be受主杂质原子奇宇称激发态2P_(5/2)(Г_6+Г_7)能级的共振隧穿.

关键词：量子限制效应、电致发光、共振隧穿效应、δ-掺杂GaAs/AlAs三量子阱

所属期刊栏目：59

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60776044;山东省自然科学基金2006ZRA10001

在线出版日期：2010-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：2728-2733