大气压等离子体辅助多晶硅薄膜化学气相沉积参数诊断
本文采用发射光谱法诊断了大气压下Ar气、SiCl_4及H_2气混合气体(Ar/SiCl_4/H_2)射频放电等离子体射流特性.利用Si原子谱线强度计算了电子激发温度并以此估算了Si原子数密度,研究了射频功率及气体流量对电子激发温度和Si原子数密度以及SiCl_4解离率的作用.
大气压等离子体射流、发射光谱、电子激发温度、多晶硅薄膜沉积
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O4(物理学)
国家自然科学基金10775026;10675028
2010-07-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
2653-2660