镜像势对碳纳米管阵列场发射特性的影响

摘要：

采用多尺度量子化学方法模拟了碳纳米管阵列的场发射特性.碳纳米管镜像势的作用可以等效地用原子尺寸的理想金属球的镜像势来代替.模拟计算结果表明,考虑了镜像势作用后的碳纳米管阵列发射电流密度比没有考虑镜像势的结果增大了约6倍.

关键词：镜像势、碳纳米管、场致发射

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10674182;国家重点基础研究发展规划973计划2007CB935501

在线出版日期：2009-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：241-245