氧对于在Ar/O氛围下用近空间升华法制备的CdS薄膜的影响

摘要：

采用近空间升华法(CSS)在氩/氧气氛中制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜.利用XRD,XPS,AFM,UV-VIS光谱和四探针技术等测试和分析手段系统研究了氧对薄膜的成分、结构、光学和电学等性质的影响.结果表明,用近空间升华法制备的CdS薄膜具有六方相结构,膜层致密、均匀,平均晶粒大小约为40 nm,富硫.氧掺入后部分与镉生成氧化镉,并随着氧含量的增加,薄膜的成分有趋于化学计量比的趋势,光学带隙加宽,光暗电导比增加.此外,还利用扫描电镜(SEM)观察了CdS/CdTe断面结合光谱响应(QE)的结果讨论了氧对CdS/CdTe界面互扩散的影响.发现,随着CdS薄膜制备气氛中氧分压的升高,CdS/CdTe界面的互扩散程度降低,有利于提高器件在500-600 nm波长范围内的光谱响应.认为,氧含量的增加不但使CdS薄膜在光伏应用方面的质量得到改善,而且CdTe太阳电池器件中的CdS/CdTe界面也得到了优化.

关键词：CdS多晶薄膜、近空间升华法、窗口层、界面

所属期刊栏目：58

分类号：TN3;TM9

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2003AA513010;国家自然科学基金60506004;四川省科技厅应用基金2006J132083;教育部高等学校博士学科点专项科研基金2005061010024

在线出版日期：2009-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：6465-6470