用于POF的高性能共振腔发光二极管

摘要：

提出用AlGaAs材料为n型下DBR,AlGaInP材料为p型上DBR,GaInP/AlGaInP多量子阱为有源区来制备650 nm波长的共振腔发光二极管(RCLED).用传输矩阵法对器件的结构进行了理论设计,并制备了RCLED和普通LED两种结构.测试结果表明,RCLED有更高的发光效率,是普通LED的近1.3倍,当注入电流从3 mA增加到30 mA时,RCLED的峰值波长只变化了1 nm,而普通LED的波长则变化了7 nm,且RCLED的光谱半宽窄,远场发散角小.

关键词：发光二极管、共振腔、金属有机物化学气相淀积

所属期刊栏目：58

分类号：O48;TN3

资助基金：北京市教育委员会科技计划面上项目KM200810005002;北京市属市管高等学校人才强教计划

在线出版日期：2009-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：6304-6307