氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用

摘要：

℃快速退火后,也得到了良好线性的I-V曲线.X射线衍射(XRD)和俄歇能谱(AES)深度元素分析表明Ni2Si和C是快速退火后的主要产物.XRD和低能反射电子能量损失谱表明表层的C元素是以非晶态存在.通过研究高温快速退火下元素的互扩散及HF与SiC表层反应机理,发现SiC表面富碳层是这两种方法形成欧姆接触的关键因素.

关键词：欧姆接触、SiC、富碳层、互扩散

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2006AA03A146;中国科学院知识创新工程项目KGCX2-YW-206;上海市自然科学基金06ZR14096;高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放基金SKL200810SIC

在线出版日期：2009-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：3443-3447