前端接触势垒高度对非晶硅和微晶硅异质结太阳电池的影响

摘要：

运用AMPS-1D(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures) 程序系统分析了前端接触(铟锡氧化物)的势垒分别对非晶硅和微晶硅太阳电池性能的影响,比较了两种影响的差异并分析了具体原因. 研究表明:与微晶硅相比,非晶硅受铟锡氧化物功函数ΦITO的影响更加显著. 随着ΦITO的增加非晶硅的各项物理性能(如太阳电池效率、填充因子等)得到明显改善,而微晶硅的各项参数虽然也随ΦITO增加而改变,但更容易趋于饱和. 模拟结果显示,在实际的太阳电池装备过程中可根据前端电极的性能来选择合适的p型硅材料.

关键词：铟锡氧化物、非晶硅、微晶硅、计算机模拟

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：上海市教育委员会科研创新计划08LZ142

在线出版日期：2009-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：2829-2835