淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型GaN的研究

摘要：

采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°-0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN表面台阶朝向相同、分布均匀,明显地看到在0°倾角衬底的n型GaN表面由台阶重构直接导致的台阶朝向随机分布、疏密不匀的形貌.电子背散射分析表明,在0°倾角衬底的n型GaN外延层的应力随外延厚度增加而增加,而0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN外延层的应力没有明显的变化.电学和光学特性研究表明,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN有较高的电子浓度和较低的黄光带与近带边强度之比.

关键词：金属有机物化学淀积、氮化物、原子力显微镜、光致发光

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划SQ2007AA03Z431230;北京市教育委员会科技发展计划KM200810005002

在线出版日期：2009-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2644-2648