一种基于纳米级CMOS工艺的互连线串扰RLC解析模型

摘要：

基于纳米级CMOS工艺,综合考虑电容耦合与电感耦合效应,提出了分布式RLC耦合互连解析模型.采用函数逼近理论与降阶技术,在斜阶跃输入信号下提出了受扰线远端的数值表达式. 基于90和65 nm CMOS工艺,对不同的互连耦合尺寸下的分布式RLC串扰解析模型和Hspice仿真结果进行了比较,误差绝对值都在4%内,能应用于纳米级片上系统(SOC)的电子设计自动化(EDA)设计和集成电路优化设计.

关键词：纳米级CMOS、互连串扰、分布式、RLC解析模型

所属期刊栏目：58

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家杰出青年科学基金60725415;国家自然科学基金60676009;60776034

在线出版日期：2009-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2631-2636