不同气氛下SiOx纳米线的制备及形貌、红外、光致发光研究

摘要：

以N2/H2、N2或NH3为载气,利用碳辅助化学气相沉积法,常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20-300 nm,长数百微米的非晶SiOx纳米线.制备得到的纳米线具有高度定向生长的特性.利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜及电子能谱对SiOx纳米线的形貌及组分进行了分析,Si与O原子之比为1∶1.8.傅里叶红外吸收谱显示了非晶氧化硅的三个特征峰(482,806和1095 cm-1)及1132 cm-1无序氧化硅结构的强吸收峰.SiOx纳米线光致发光光谱(PL)在440 nm(2.83 eV)处具有较强的荧光峰;N2为载气生长的SiOx纳米线的PL峰强比NH3为载气生长的SiOx纳米线峰强大四个数量级.

关键词：SiOx纳米线、碳辅助化学气相沉积法、傅里叶红外吸收、光致发光

所属期刊栏目：58

分类号：O57(原子核物理学、高能物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展规划973计划2007CB613302;国家自然科学基金50721002;10774091

在线出版日期：2009-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：2306-2312