10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.097
脉冲电容器用细电滞回线铁电陶瓷材料的研究
采用低锆区的Pb(Zr0.42Sn0.40Ti0.18)O3(PZST42/40/18)铁电陶瓷为基, 通过少量La和Ba取代Pb同时Nb取代(Zr, Sn, Ti)复合取代的方法得到掺杂PZST42/40/18细电滞回线铁电陶瓷, 其最大极化强度Pmax≈20.66μC/cm2, 剩余极化强度Pr≈0.55μC/cm2, 电滞回线包含面积S≈0.0298J/cm3, 室温下相对介电常数虽然只有2840, 但储能密度却达0.319J/cm3. 反复充放电脉冲试验初步显示: 单片掺杂PZST42/40/18铁电陶瓷样品的短路放电电流可达2330A, 反复充放电次数在1000次以上; 释放的电荷随着充放电次数的增加按照二次指数公式衰减. 这对掺杂PZST42/40/18细电滞回线铁电陶瓷用作脉冲电容器具有重要意义.
细电滞回线、铁电陶瓷、PZST、脉冲电容器
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TN3;O4(半导体技术)
2009-02-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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